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我国碳纳米管光电传感存储器件问世,为存储器件研制奠定基础
送交者: 笑鸠[♂★★★声望勋衔13★★★♂] 于 2020-03-26 3:56 已读 720 次  

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我国碳纳米管光电传感存储器件问世,为存储器件研制奠定基础


更新时间:2020/3/26 13:40:28
 


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近日,中国科学院金属研究所(以下简称金属所)沈阳材料科学国家研究中心联合中国科学院苏州纳米技术研究所、吉林大学,提出了一种基于铝纳米晶浮栅的碳纳米管非易失性存储器,这为可穿戴电子及特殊环境检测系统提供了新的器件设计方法。
  
  据悉,新型器件具有高电流开关比、长达10年的存储时间以及稳定的读写操作,多个分立的铝纳米晶浮栅器件具有稳定的柔性使役性能。
  
  据中国科学报报道,金属所研究员孙东明表示,我们首次实现了基于碳纳米管的光学图像传感与图像存储,为新型柔性光检测与存储器件的研制奠定了基础。
  
  此外,科研人员采用半导体性碳纳米管薄膜为沟道材料,利用均匀离散分布的铝纳米晶/氧化铝一体化结构作为浮栅层与隧穿层,获得高性能柔性碳纳米管浮栅存储器。同时,较薄氧化铝隧穿层可使闭态电流获得明显的提升,完成光电信号的直接转换与传输,实现集图像传感与信息存储于一体的新型多功能光电传感与存储系统,为可穿戴电子及特殊环境检测系统提供了新的器件设计方法。
  
  目前,相关成果已在《先进材料》发表,并获得国家自然科学基金、中国科学院及中科院金属所、沈阳材料科学国家研究中心等项目资助。(
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