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兆易创新24nm SPI NAND Flash,开启国产化 Flash新时代
送交者: 笑鸠[♂★★★声望勋衔13★★★♂] 于 2020-10-15 0:59 已读 1103 次 1 赞  

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兆易创新24nm SPI NAND Flash,开启国产化 Flash新时代


2020-10-15来源: EEWORLD关键字:兆易创新  NAND
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半导体器件供应商兆易创新GigaDevice (股票代码 603986) 宣布,正式推出全国产化24nm工艺节点的4Gb SPI NAND Flash产品——GD5F4GM5系列。该系列产品实现了从设计研发、生产制造到封装测试所有环节的纯国产化和自主化,并已成功量产,标志着国内SLC NAND Flash产品正式迈入24nm先进制程工艺时代。该创新技术产品有助于进一步丰富兆易创新的存储类产品线,为客户提供更优化的大容量代码存储解决方案。

 

如今各类电子设备的功能日趋复杂,在一些新兴的、甚至紧凑型应用中都需要预装嵌入式操作系统,对存储容量的需求在不断提升。高可靠、大容量的代码存储需求成为业界广泛诉求。SLC NAND在市场兼具性价比的同时,能够提供给客户更大的容量选择。基于此,兆易创新在确保高可靠性的同时,成功推出24nm SPI NAND Flash——GD5F4GM5,兼顾容量和性能的提升,更好地服务于代码存储领域,致力于为5G、物联网、网通、安防,以及包括可穿戴式设备在内的消费类应用场景提供大容量、具备成本优势的解决方案。

 




目前,GD5F4GM5系列已全面量产,代表了国产SPI NAND Flash工艺技术量产的最高水准。该产品采用串行SPI接口,引脚少、封装尺寸小,在集成了存储阵列和控制器的同时,还带有内部ECC纠错算法,擦写次数可达5万次,提高可靠性的同时延长产品使用寿命。

 

GD5F4GM5系列也在相比于上一代NAND产品,大大提升了读写速度,最高时钟频率达到120MHz,数据吞吐量可达480Mbit/s,支持1.8V/3.3V供电电压,能够满足客户对不同供电电压的需求;同时提供WSON8、TFBGA24等多种封装选择。

 

GD5F4GM5系列产品特性

 

兼容1.8V/3.3V供电电压

支持4KB Cache随机读取

四通道SPI接口,Quad IO数据吞吐量可达480Mbit/s

内置8bit ECC纠错技术

支持标准WSON8、TFBGA24封装

支持工业级-40~85℃温度范围

 

供货信息

 

GD5F4GM5系列产品现已全面量产,客户可联络销售代表或授权代理商了解相关的订购信息。 6park.com

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