众所周知，在14nm芯片工艺节点前，像台积电、三星、intel等制造厂都是严格的按照摩尔定律来制造芯片的，那就是每18个月，晶体管密度就要翻一倍。
 
同时所谓的nm制程，是指晶体管的沟道长度，沟道长度是多少，就是多少nm工艺节点，严格对应的。
 
 
但后来随着芯片越来越先进，摩尔定律已经很难实现了，因为晶体管慢慢的接近原子大小了。于是从10nm开始，台积电、三星等就不再严格按照摩尔定律来了，同时在制程工艺上，也就开始了掺水。
 
具体来看，沟道长度与XXnm不再有直接对应关系了，这个是台积电高管曾承认的，说XXnm更多的是营销游戏了。另外从晶体管密度来看，也不再严格遵守18个月翻一倍的规则了。
 
而为了证明这一点，前段时间Digitimes就分析了台积电、三星、Intel及IBM四家厂商10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的晶体管密度情况。
 
 
我们发现三星的芯片，在相同的节点，密度是最低的，而台积电好一些，英特尔是最高的，可以说只有英特尔是真的在遵守摩尔定律的。
            
            
                
但或许也因为如此，所以英特尔对外公布的工艺节点是最落后的，因为目前才10nm，而三星、台积电都已经5nm了。
 
可能也感受到了这些，所以英特尔近日做了一个重要决定，公布了公司有史以来最详细的制程工艺和封装技术路线图，并彻底的抛弃nm工艺叫法。
 
 
简单的来讲，就是从下一代芯片开始，intel不会再说这是7nm，或者5nm，或者3nm，1nm等工艺了，而是起了一个新的命名。
 
下一代芯片，英特尔称之为intel7，再是intel4、再是intel3，再到intel 20A…… 从这些命名，你能看出来是多少nm的么？已经不能了。
 
而在芯片每一代工艺对比上，英特尔采用的上每瓦性能将提升来说，比如Intel 7与英特尔10nm相比，每瓦性能将提升约10%-15%，而intel4与上一代相比，每瓦性能约提升20%，而Intel 3较Intel 4将在每瓦性能上提升约18%。
 
 
对此，不知道大家怎么看？很明显，intel不愿意像台积电、三星一样在工艺节点上进行掺水，所以不想用这种nm命名，因为这样会显得自己严重落后于三星、台积电。
 
所以intel启用新的命名，这样大家不会将自己的工艺与台积电、三星来横向对比了，毕竟intel4究竟是几nm，谁也不知道啊。
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