台积电的5nm工艺从前年华为麒麟9000开始，至今已经快两年时间了，目前台积电最先进的芯片工艺是4nm，其实也就是5nm改进而来，算不上什么换代的更新技术。至于台积电说了很久的3nm工艺，本来是要在今年年初正式量产，但是因为出现了一些问题，无非是产能、良率或者其他技术故障，所以台积电也不得不频频推迟3nm工艺正式量产的时间。

早先曾有传闻说台积电将3nm延期到第二季度量产，不过看来第二季度也是没什么希望了，所以这也让不少产品直接错过了台积电的3nm工艺，只能继续采用台积电的5nm或者4nm工艺，比如苹果的iPhone 14，如果按照原计划是可以用台积电的3nm工艺的，但现在最多也只能用到台积电的4nm工艺了。
不过现在据说台积电在3nm上已经有了不小的突破，将于今年8月份在新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂同步投片量产。之前台积电曾说过，3nm的工艺会有包括N3、N3E、N3B等工艺，不过现在台积电已经确定跳过N3，直接上马N3B这一强化工艺，而明年则启动增强版的N3E制程量产。这样看起来，标准的N3工艺可能是有一些问题。 6park.com

实际上从规格来看，台积电的确是在技术上做了一些调整，N3B的性能和密度居然比N3要低一些，这或许也是N3工艺开发难度更高的原因。N3原本是打算用25层EUV曝光层，但N3B只需要用到21层，所以投产难度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，当然代价就是N3B会比N3的密度低8%，这样同样晶体管数量的前提下，芯片的功耗和发热会更高一些，当然频率可能也会更低一些。但即使如此，N3B相比目前5nm工艺，依然在密度上要高出60%，这也足以让芯片性能得到极大的加强了。
不过有意思的是，现在看来即将在八月量产的台积电3nm生产线，并非针对所有客户开放，应该是专门为Intel打造的一条生产线。之前Intel的CEO曾在去年底造访台积电，要求台积电以独立产能生产用于伺服器的CPU及GPU产品，避免与苹果等共用产线。而台积电也说过会针对Intel建立专用的3nm制程产线，目前来看大概率就是即将量产的这条生产线了。

这就意味着像苹果这样的厂商，想要用台积电的3nm产能就只能继续等待。至少要等台积电建立更多的3nm生产线才行，当然估摸着下半年也应该可以搞定。不过这就完美错过了很多芯片，包括苹果的A16、M2等芯片，这些苹果的芯片大概率都会用台积电4nm打造；另外像高通下一代的骁龙8芯片，因为要在今年年底发布，估计很难用上3nm，其他包括联发科、博通等台积电的客户，情况也一样，想要3nm制程，最快都得等到明年，而且肯定是排在苹果和Intel后面。

目前可以肯定，明年苹果在iPhone上A17芯片基本就会是3nm制程了，如果今年更新M2芯片，明年下半年或者后年能更新到M3芯片的话，肯定也是会有3nm了，那个时候苹果的芯片在性能和结构上或许会迎来很大的进化。另外明年Intel和AMD个别一些产品可能也会开始向转向台积电的3nm工艺，高通明年的第三代骁龙8芯片，不出意外也会是3nm。所以台积电虽然八月就开始量产3nm芯片，但是我们要到明年才能看到各个厂商的3nm芯片问世。
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