我们都知道，近两年来各大芯片企业，都主力攻克高端芯片领域，无视摩尔定律的存在，例如就在近段时间，IBM全球首发2nm工艺，预计将在2024年完成量产，然而正当IBM还没开心多久，来自中国的台积电，再次传出好消息，打败一众竞争对手。

继台积电去年攻下3nm先进制程芯片后，台积电在今年5月18日，宣布同台大、麻省理工携手在1nm芯片材料上，取得重大突破，进一步推动了1nm芯片面世。
当前主流芯片材料为硅，硅存在物理极限，因此难以进一步缩小，更不能用作为1nm芯片材料，然而二维材料正好能补齐硅无法缩小的短板，被业内人士认为作为，取代硅材料的最佳选择。
不过，二维材料具备高电阻、低电流的性质，无法作用于芯片中，如何解决二维材料的两大性质，成为了攻克高端芯片材料的难点。在经过麻省理工学院的反复实验下，确定了一种金属铋电极，能够有效解决二维材料应用难点。

此后，麻省理工学院和台大、台积电共同组建研究团队，主力攻克金属铋电极应用问题。经过研究团队长时间分析，终于得出将金属铋作为接触电极关键结构，成功增强二维材料电晶体。 6park.com
目前，该团队的研究成功，已经登上最权威的学术杂志《自然》，这一研究成果，也让1nm芯片的问世，更具可能性。
虽然台积电、IBM包括三星，均在近两年在高精度工艺研发上你争我抢，但依旧无法掩盖这些现今芯片制程技术背后的尴尬真相。

受到投资成本以及生产技术等限制，先进制程芯片量产时间一直未明确，之所以IBM以及台积电，先后透露在先进芯片制程的取得的突破，只是为了在技术实力上，达到碾压对手，稳住投资者的目的。
但对于当前全球芯片供应紧张问题，各大芯片厂商都束手未测，尤其是在28nm及以上的成熟工艺，占据了90%左右的市场，可以说各大芯片巨头在先进制程上取得的突破，远不能满足现在的使用需求，这也是当前各大专家呼吁，尽快完善成熟工艺产业链的主要原因。

值得一提的是，作为1nm及以下制程芯片的核心材料金属铋，中国储量排在全球第一，这意味着，中国正掌握着1nm芯片原材料的命脉。
要知道，全球金属铋储量非常稀少，总储量只有32万吨，而在2010年，全球金属铋产量仅达16000吨左右，其中中国金属铋产量高达12000吨，占据全球总产量75%；金属铋储量基础更是占据全球75%，达到24万吨。无论在金属铋产量，还是在储量上，中国都位居全球第一，在芯片重要原材料上，占据绝对优势。
在国内，湖南、广西和湖南，是中国金属铋储量三大省，尤其是湖南郴州金属铋储量最多，一个地区能抵全球金属铋储量50%左右。与此同时，中国还崛起了大批金属铋相关的企业，例如锡业股份、江西铜业、驰宏锌诸……

中国掌握着全球75%的金属铋资源，如果金属铋真能够在1nm芯片上应用成功，那么对中国在全球半导体产业掌握话语权，具有重大意义。并且，我国半导体产业，也可以凭借金属铋资源换资源，解决不少卡脖子问题。
眼看摩尔定律即将达到极限，全球芯片产业即将打响下一场战争，为了攻克1nm芯片，包括现在硅为主流的芯片材料，都有可能在今后被其他材料取代，而全球芯片产业链，也即将迎来大变化。在这一条全新的赛道上，中国有了可以反超的机会，非常难得。