| 送交者: 魏习加[♂★★★社区平天下平★★★♂] 于 2020-12-22 0:04 已读 14825 次 2 赞 | 魏习加的个人频道 |
中国搞碳基芯片就能弯道超车，超近路超车？应该说是对高端光刻工艺的要求不那么高吧。大概碳基芯片用较低的晶体管/电路密度就能实现类似的高性能和低功耗，所以同行性能功耗要求下，不需要那么高的光刻密度和精度。
但如果中国大陆能够把碳基芯片产业化的话，台湾也早晚能掌握这项技术，再结合他们的光刻机光刻工艺优势，他们的PPA（性能，功耗，面积）又可以做高几倍。两岸的技术差异还会在啊。 6park.com
大陆大概已经有能力做初步的液浸双工件台光刻机，可望达到约28nm节点等级的光刻精度。假设过一两年他们真做得到量产设备的程度，结合碳基材料上大力研发形成的专利壁垒和工艺/材料know how，还是有小小的可能打一场翻身仗。但海外同行也不会在那里干等着大陆超他们的车。大陆除了学台湾同行拿肝赌明天，也没有太多别的办法。 6park.com
https://www.zhihu.com/question/397627412/answer/1290996182
链接里这段内容有点参考价值，让我对碳基芯片制造有了最粗浅的认识。
基底制造，用DNA长出结构，结合光刻工艺把结构体附着到基板上，一来离不开光刻机和精准定位，二来要做到大面积高密度和低缺陷密度难，三来要实现高速高效生产难。总的来说，还远着呢。 6park.com
粗粗了解下来，我认为碳纳米管虽然提供了一个挺有优势的新型芯片的可能性，但要用这项技术有效率的生产超大规模集成电路，仍是几近于天方夜谭。相关设备的研发，工艺的改进提高，要达到或接近于现有的芯片生产效率与缺陷密度，实在是遥遥无期。
将碳纳米管平面堆叠的话，技术路线其实与现有的硅基芯片生产工艺流程相差并不太多，而且还增加了若干难度各异的全新步骤，要超越传统的硅基芯片生产方式已经太难；利用碳纳米管来直接做立体的，三维的芯片生产制造的话，会是近乎全新的工艺路线，旧有的设备和工艺路线可供借鉴的部分不多，新设备材料工艺探索的难度与耗时就更大，更多了。
不如换个思路，多花点力气在量子计算上。利用超强的算力，或许可以以一当万，以一当亿。到时可能就不需要那么大数量的传统超级芯片了。不管是使用光子，还是用冷冻的粒子充当量子载体都可以，硬件上生产难度固然是极高，但它的算力优势，可望抵消低的硬件生产效率，还可以大大压缩所需要的计算单元数量（对于传统芯片来说，就是指由若干cmos管组成的，可以执行运算的门电路单元），即将传统芯片硬件（以亿计的门电路，管线）的复杂度，转化为粒子携带的信息的复杂度（传统芯片只有电流的有无/通断 - 老大一串电子，就带俩信息位；而量子芯片中，每个，或一小串粒子可望同时携带很多个信息位 - 这是纯天然的并行运算 - 但也需要强大的容错算法，因为同时携带多信息位，探测失误率会大大于传统芯片有无/通断的探测）。但量子算法的开拓（特别是让人眼花缭乱的并行算法 - 想像一下大城市的巴士系统，一辆车就是一个粒子载体，乘客是信息位，那么多乘客绑在一起，光是每个乘客的上车下车就够难管的了，你还得让各处的乘客们合作执行运算任务！算法优化很难啊，算法开发还需要很好的工具平台，光是工具平台的优化，就不知道需要耗费多少脑力算力），量子芯片IP（现有芯片技术中，已经有很多很多屡经验证了的完整的单元功能模块：小到若干门电路组成的特定运算模块，缓存模块，大到蓝牙功能模块，网络通讯模块，ARM芯片核；不用费太多心思去试错调试，就能拼搭进完整系统的芯片设计中）的积累，都需要从头再来，当然这也给了全球各国家机构几乎同等的起跑线，中国有机会掌握积累起自己的IP库，就可以拿去跟洋人讨价还价，交换授权了。
门外汉胡扯一气，见笑了。
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