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ASML第四代EUV光刻机最新进度:正向1nm迈进
送交者: 笨啊笨[♂☆★★DoctorateCandidate★★☆♂] 于 2021-03-18 23:54 已读 1998 次  

笨啊笨的个人频道

今天我们介绍了ASML最先进的EUV光刻机研发了10年,有10万个零部件,配送需要2年,第三代EUV最早是在2015年出货,第四代EUV目前的进度是:正向1nm迈进。 6park.com



2015年,ASML公司的台湾地区销售经理郑国伟透露,第3代极紫外光(EUV)设备已出货6台。郑国伟同时指出,ASML的EUV设备近期取得惊人突破,已有2家客户在以它进行晶圆处理时,测试结果达到每天可曝光超过600片晶圆。 6park.com



6年过去了,第三代EUV光刻机已经得到了大量的应用,,日前,ASML产品营销总监Mike Lercel向媒体分享了第四代EUV(极紫外)光刻机的最新进展。ASML现在主力出货的EUV光刻机分别是NXE:3400B和3400C,它们的数值孔径(NA)均为0.33,日期更近的3400C目前的可用性已经达到90%左右。 6park.com



预计今年年底前,NXE:3600D将开始交付,30mJ/cm2下的晶圆通量是160片,比3400C提高了18%,机器匹配套准精度也增加了,它预计会是未来台积电、三星3nm制程的主要依托。 6park.com



在3600D之后,ASML规划的三代光刻机分别是NEXT、EXE:5000和EXE:5200,其中从EXE:5000开始,数值孔径提高到0.55,但要等待2022年晚些时候发货了。 6park.com



由于光刻机从发货到配置/培训完成需要长达两年时间,0.55NA的大规模应用要等到2025~2026年了,服务的应该是台积电2nm甚至1nm等工艺。 6park.com



0.55NA比0.33NA有着太多优势,包括更高的对比度、图形曝光更低的成本、更高的生产效率等。 6park.com



当然,硅片、曝光洁净室逼近物理极限,也是不容小觑的挑战。现今5nm/7nm光刻机已然需要10万+零件、40个集装箱,而1nm时代光刻机要比3nm还大一倍左右,可想而知了。 6park.com



责编:editorDan 6park.com

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