Rapidus、东京大学将与法国半导体研究机构Leti合作，共同开发电路线宽为1纳米级的新一代半导体设计的基础技术。2024年将正式开展人才交流和技术共享。将利用Leti的技术，构建有利于提高自动驾驶和人工智能（AI）性能的1纳米产品供应体制。
   
  
      Rapidus正与美国IBM、比利时半导体研究开发机构imec进行合作，量产将于2027年实现的2纳米产品。1纳米产品预计在2030年代以后普及，功率及运算性能比2纳米高1～2成。1纳米产品也在考虑寻求与IBM合作。日美欧合作有利于稳定供应新一代产品。
 
      Rapidus、东大及理化学研究所等加入的研究机构“最尖端半导体技术中心（LSTC）”与Leti于10月签订了探讨合作的备忘录。
 
      双方的目标是确立设计开发线宽为1.4纳米～1纳米的半导体所需要的基础技术。1纳米产品需要不同于传统的晶体管（元件）结构，Leti在该领域的成膜等关键技术上占优。最尖端半导体技术中心将在试制品评估及人才派遣等方面进行合作。