台积电日前宣布再次推迟其位于亚利桑那州价值400亿美元的工厂建设，这进一步打击了拜登政府在美国本土推动关键零部件制造的计划。
台积电高管们表示，他们在亚利桑那州的第二家工厂的基础结构正在建设中，将于2027年或2028年开始运营，晚于台积电先前计划的2026年。此前该公司于2023年7月宣布推迟第一家工厂的建设，由于该工厂缺乏熟练劳动力和成本较高，4纳米芯片只能在2025年推出。
台积电董事长刘德音表示，“我们的海外决策是基于客户需求和必要的政府补贴或支持水平。”
此前，台积电表示将在美国第二家工厂生产3nm芯片，比第一家工厂更先进。但周四，该公司表示，美国政府的激励措施将有助于确定内部技术的先进程度，从而增加了该项目结果的不确定性。
台积电首席财务官黄仁昭表示，由于第一家工厂的建设受挫，台积电也推迟了第二家工厂的建设。刘德音说，台积电正在与美国政府就激励措施和税收抵免进行谈判。在拜登将《芯片与科学法案》签署为法律一年多后，美国政府尚未向台积电或英特尔等主要芯片制造商提供任何补助。