中国突破EUV光刻机关键技术
近日,我国EUV光刻机研发取得重大突破。
近年来在西方技术封锁下,先进半导体关键制造设备EUV光刻机被限制出口至中国大陆。而面对西方的不断打压,我国科研人员潜心研发,终于成功研制出EUV重要部件——光源工程化样机,为我国突破“卡脖子”技术做出重大贡献。
哈工大、长春光机所攻破EUV光刻机三大核心技术
EUV光刻机共有三大核心技术,分别为EUV光源系统,高精度弧形反射镜系统、超高精度真空双工件台。
早在2015年,中国的长春光机所就已经研发出了EUV光刻机的高精度弧形反射镜系统,多层层镀膜面形误差小于0.1nm,达到了EUV级光刻机的标准。但这套系统有个小问题,并非所有零部件都是国产的,其中镀膜装置采购自海外。
2021年7月,中科院控股企业北京中科科美成功研发出镀膜精度控制在0.1nm以内的直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置,满足了长春光机所对零部件的技术要求。
中科科美研发的镀膜装置送到长春光机所后,我国立刻制造出了EUV级光刻机级别的高精度弧形反射镜系统。
这次纯国产,每一个零部件都是国产。
至此EUV光刻机的三大核心技术被我国突破了一个,还剩两个。
2022年12月7日,哈工大传来喜讯,仪器学院胡鹏程教授团队研发的“高速超精密激光干涉仪”,荣获中国光学领域最高荣誉金隧奖,并在金奖名单里位列第一。 6park.com
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这一技术解决了该领域存在的测不准、测不精、测不快的核心难题,对于促进我国关键核心技术、突破“卡脖子”难题有着重大意义,是解决我国高端光刻机设备国产化的重要条件。
具体来说,高速超精密激光干涉仪的探测头体积小,可以嵌入到试验装置或精密装备中,在狭小的空间中进行测量任务,再加上它只需要单根光纤就可以连接探测头和主机,更容易完成超精密的测量目标,可以对晶圆、物镜系统、工作台位置的超精准定位,从而为我国高端光刻机研发提供嵌入式在线测量手段,为纳米计量测试提供核心仪器。
因为哈工大的贡献,EUV级光刻机的三大核心技术的第二项,被我国成功突破。
还剩下的那最后一项是EUV光源系统,也是EUV光刻机的心脏部件。
没有EUV级光源,哪怕其他光刻机部件中国全都造出来了也没用。 6park.com
2023年4月13日,长春光机所官网公布消息,中国科学院院士、中国科学院前院长白春礼在长春光机所参观了EUV光源系统。
这是首次官方发文证实了我国已成功研发出EUV光源系统。
值得注意的是,在官网介绍的配图里明确表示,白春礼院士参观的是EUV光源样机,也就是说长春光机所已经完成了工程样机的制造。
随着一项项关键技术的攻克,我国距离芯片完全国产化的目标也越来越近。
对此,外媒的评价是“炸裂式技术突破”。
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