看多篇留园文章说到中国此举可以为自己争取时间以赶上14nm, 7nm的步伐。这是谬误。 6park.com
半导体材料前后有锗，硅，宽禁带3-5族化合物（其中包括砷化镓），氮化镓和碳化硅。其中锗单晶已经被硅单晶完全取代。 6park.com
化合物半导体以砷化镓为代表主要用于极高频信号放大处理，各位手机里都有一堆砷化镓器件。但是砷化镓难以大规模集成，功能受限制，只能担负信号的接受和前级处理。而且因为化合物半导体的特点尺寸做小了漏电厉害。目前所说的多少纳米与砷化镓化合物器件基本无关。 6park.com
硅是半导体材料的主流，用于所有的大规模集成电路。我们所说到纳米级工艺100%都是在硅材料上下的功夫。摩尔定律到目前为止也只是用于硅材料。当今最小的4纳米工艺用的是ASML的EUV光刻机，用于在12英寸直径的硅片上做数字电路。深纳米级硅工艺用不到镓和锗。（在一些特殊模拟电路硅器件上也用到锗-硅合金来提高高频性能，但那是45纳米以上的工艺平台）。 6park.com
近年发展起来的氮化镓成为新一代宽禁带半导体材料。它用于高频大功率器件是颠覆性的，军事用途和电车应用前途一片光明。但是由于氮化镓器件的结构与目前主流硅器件工艺的不吻合，要做到纳米级还有很多路要走。也就是说氮化镓做成手机芯片还看不到。 6park.com
结论来了：用到ASML EUV 光刻机的14nm, 7nm, 4nm等深纳米工艺是在硅片上做的，与锗，镓半导体材料无关。限制它们的出口不会给中国光刻机赶上ASML争取时间。
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